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考试可能会考SPICE，但是考试考SPICE不太可能

第五章：电流镜与偏置技术 电流受到电源波动的影响 如何计算ΔI1ΔVDD\frac{\Delta I_1}{\Delta V_{DD}}ΔVDD​ΔI1​​？ 可以直接在M3的漏极向上看向下看，算出等效阻抗之后，用电压源波动除以电流波动即可。 对于M3的漏极，因为M5是二极管连接型，因此随着电压上下平移，可认为ΔVD3=ΔVDD\Delta V_{D3} = \Delta V_{DD}ΔVD3​=ΔVDD​。而M3向下看的阻抗是一个共源共栅结构，即为gm3ro3ro2g_{m3}r_{o3}r_{o2}gm3​ro3​ro2​，向上看是一个二极管连接型1/gm51/g_{m5}1/gm5​，因此等效阻抗就约为1/gm51/g_{m5}1/gm5​。 低压共源共栅电流镜的镜像极点分析 如何分析X点（镜像极点）处的阻抗？ 实际上，X点向上看就是1/gm71/g_{m7}1/gm7​，因为M5接在电路中不受影响，M7就是一个二极管连接型。从X点向下看，又是一个共源共栅结构阻抗，为gm3ro3ro1g_{m3}r_{o3}r_{o1}gm3​ro3​ro1​。因此X点处阻抗应为并联，...

VLSI设计流程 IP核 IP核（Intellectual Property Core）是指预先设计好的、经过验证的功能模块，可以被集成到更大的系统中，以加速设计过程并降低开发成本。IP核通常由第三方供应商提供，也可以是公司内部开发的知识产权。 类型： 软核（SoftCore）： 定义：软核是以硬件描述语言（如Verilog或VHDL）的形式提供的逻辑设计文件。 特点：灵活性高，可以根据具体的应用需求进行优化和修改。 应用：适用于需要高度定制化的场景，如特定算法的实现。 硬核（HardCore）： 定义：硬核是已经完成布局布线的物理设计，可以直接嵌入到芯片中。 特点：性能高，功耗低，但灵活性较低，难以修改。 应用：适用于高性能、低功耗要求的场景，如处理器核心、高速接口等。 固核（FirmCore）： 定义：固核介于软核和硬核之间，通常以门级网表（Gate-Level Netlist）的形式提供。 特点：具有一定的灵活性，但已经进行了初步的优化，可以节省设计时间和资源。 应用：适用于需要一定灵活性但又希望快速集成的场景。 集成电路常见厂商 CAD/EDA S...

生了一个星期的病终于好了。最开始发烧，烧了两天之后腹泻，腹泻完了又鼻塞，鼻塞好了又咳嗽……呜呜>_< ESD保护 ESD（Electro Static Discharge），是造成大多数IC受到过度电应力（ElectricalOverstress, EOS）破坏的主要因素，这种破坏是永久性的。 ESD放电模型： HBM－Human Body Model MM－Machine Model CDM－Charged-Device Model FIM－Field-Induced Model 对于ESD输入保护电路，我们使用两个二极管串联电源与地的方法，对输入引脚进行箝位： ESD造成破坏的原理是一个极大的输入电压将内部电路破坏。箝位之后，VA的电压被控制在−0.7V⩽VA⩽VDD+0.7V-0.7V\leqslant V_A \leqslant V_{DD}+0.7V−0.7V⩽VA​⩽VDD​+0.7V之间，从而使ESD影响最小化。流过二极管的电流应当限制在几十毫安以下。 大的驱动晶体管的扩散区到衬底天然就是ESD保护电路，但是要确定是否有足够的保护能力。 ES...

祈祷明天对你来说也是美好的一天。

2024.11.18 老师说考研不考。一得阁拉米的。 存储器概述 按照掉电是否丢失信息，分为易失性存储器与非易失性存储器： 易失性存储器：SRAM、DRAM 非易失性存储器：Flash、EEPROM等 为什么有这么多种类的存储器？ 我们无法制造出即速度快、容量大又价格便宜的存储器；我们只能制造出速度快、容量小的存储器。 例如SRAM，5～20ns访问速度，很贵，只能用在CPU内部作为Cache； 或者容量大、速度慢的存储器，例如DRAM，60～100ns访问速度，比SRAM便宜，作为计算机主要内部存储元件； 或者速度更慢、价格便宜的存储器，例如机械硬盘，毫秒级访问速度，很便宜，计算机外部存储元件。 Flash，非易失性，速度慢，比硬盘贵，但现在采用新技术可以达到较高的访问速度，成本也降低了很多，但还是比硬盘贵。如SSD盘，速度比硬盘快，价格比硬盘贵 新型的存储器：FRAM、MRAM、ReRAM、PCRAM、STTRAM等。目标：提高性能、降低成本、大容量等 常见存储器对比 对比项 DRAM SRAM Flash 断电易失性 是 否 数据刷新 是 否 ...

动态逻辑电路概述 在前面，我们学习的都是使用CMOS搭建的静态逻辑电路，不含任何人为加入的电容等储能元件。 何为静态逻辑，何为动态逻辑？ 静态逻辑门： 所有逻辑电平都是稳定的静态工作点，所有的输出电压都是由输入电压的改变经过一定延时后确定的。只要电源电压存在，输入信号不发生变化，输出电压会永远保持。 输出电压不需要刷新。需要的晶体管数量多，延时大。 动态逻辑门： 逻辑电平不是稳定的静态工作点，而是由节点上的寄生电容的电荷来暂时保持的。 输出信号由输入信号变化和时钟信号的改变确定，需要定时更新或者刷新，因为电荷会丢失，造成电压改变，信息丢失。 "In Figure 4, if the input A is 1 during precharge, contention will take place because both the pMOS and nMOS transistors will be ON. When the input cannot be guaranteed to be 0 during precharge, an extra clo...

加粗为考过的题目 第一章：绪论 随着集成电路工艺发展，器件宽度下降，有哪些因素对模拟IC设计不利？ 答案电源电压下降、阵列器件失配更严重、MOS短沟道效应显著 列举出三种模拟IC产品。 答案电源管理芯片、模数转换（ADC）芯片、数模转换（DAC）芯片、锁相环（PLL）芯片 解释More Moore和More than Moore。 答案More Moore：进行结构优化和工艺微缩，继续缩小器件尺寸，延续摩尔定律 More than Moore：在现有的基础上，不缩小器件尺寸，但整合进更多的功能，实现更复杂的系统 数字CMOS集成电路复习笔记：第一篇 深N阱工艺是什么？有什么优缺点？ 答案深N阱工艺：在P型衬底上，通过掺杂形成一个深N阱然后再形成一个P阱，制作NMOS，可以实现器件隔离的作用，因为其衬底独立。 深N阱增加了制造成本和芯片面积，但使得各NMOS衬底可以相互隔离，并且数字模块与模拟模块也可以隔离，减小串扰。 第二章：MOSFET概述 MOS管有哪些工作区？对于NMOS来说，不同的工作区各有什么独特的应用？ 答案关断区、饱和区、线性区（三...

加粗为考过的题目 第一章：绪论 摩尔定律是什么？后人扩展的摩尔定律又是什么？ 答案摩尔定律：芯片上的晶体管数目每隔18 个月或者24 个月翻一倍 扩展的摩尔定律： 工艺每三年升级一代 集成度每三年翻二番 特征线宽约 缩小 30％ 左右 逻辑电路（以 CPU 为代表）的工作频率提高约 30％ 请从设计方法学的角度简要分析模拟集成电路设计与半定制数字集成电路设计的区别。列举至少三点。 答案模拟：需要手动布局、自下而上的设计方法、特殊化定制、耗时长 数字：可以自动布局、自上而下的设计方法、使用现成的模块进行定制、耗时相对短 数字电路设计常用的抽象层次有哪些？列举三个，并写出对应的语言/EDA 工具。 答案 系统级：MATLAB 算法级：C/C++ 寄存器传输级：VHDL/Verilog 门级：VHDL/Verilog 晶体管级：SPICE 数字系统设计复习笔记：第一篇 写出短沟道 PMOS 的线性区与饱和区分界点，以及饱和区电流公式。 答案(∣VGS∣−∣VTH∣)⋅Ec,pLp(∣VGS∣−∣VTH∣)+Ec,pLpID=12μpCoxWL11+∣VGS...