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非平衡载流子的产生和复合 平衡载流子和非平衡载流子的关系 对半导体施加外部作用（光照、电注入等），可以破坏热平衡，使其成为非平衡态。载流子浓度比平衡时的多些，多余的那部分用Δn/Δp表示，称其为非平衡载流子或过剩载流子，用n或p表示总的载流子浓度，因此得到： n=n0+Δnp=p0+Δp\begin{aligned} n &= n_0+\Delta n \\ p &= p_0+\Delta p \end{aligned} np​=n0​+Δn=p0​+Δp​ n0p0=ni2⇒np=(n0+Δn)(p0+Δp)≠ni2\begin{aligned} n_0p_0 &= n_i^2 \\ & \Rightarrow \\ np &= (n_0+\Delta n)(p_0+\Delta p) \\ &\neq n_i^2 \end{aligned} n0​p0​np​=ni2​⇒=(n0​+Δn)(p0​+Δp)=ni2​​ 平衡少数载流子通常非常少，非平衡载流子浓度往往比平衡少数载流子大得多；多数载流子受非平衡载流子影响很小，而非平衡载 ...

卧石，乃龙。

载流子的漂移运动与迁移率 导体的欧姆定律 I=VR,J=ΔIΔs,R=ρlSI = \dfrac{V}{R},\quad J = \dfrac{\Delta I}{\Delta s},\quad R = \rho \dfrac{l}{S} I=RV​,J=ΔsΔI​,R=ρSl​ 其中：电阻率单位为Ω·cm，电导率单位为s/cm，可求得欧姆定律的微分形式： I=VR=ElρlS=SρE=SσE⇒J=σ∣E∣I = \dfrac{V}{R} = \dfrac {El}{\rho \dfrac{l}{S}} = \dfrac{S}{\rho}E = S\sigma E \quad \Rightarrow \quad J = \sigma \big|E \big| I=RV​=ρSl​El​=ρS​E=SσE⇒J=σ​E​ 漂移速度和迁移率 漂移运动是导体外加电压，内部电子受到电场力的作用，沿电场力反方向作定向运动形成电流的现象。漂移速度是定向运动的速度，平均漂移速度用vd‾\overline{v_d}vd​​表示。因此： J=−nqvd‾J = -nq \overline{v_d} J=− ...

怎么能有不分hhh和ℏ\hbarℏ的老师，真的要被气晕了 状态密度 在半导体的导带和价带中，有很多能级存在，但相邻能级间隔很小，可以近似认为能级是连续的，因而可将能带分为一个一个能量很小的间隔来处理。 假定在能带中能量E~(E+dE)之间无限小的能量间隔内有dZ个量子态，则状态密度g(E)为g(E)=dZdEg(E) = \dfrac{dZ}{dE}g(E)=dEdZ​。也就是说，状态密度就是在能带中能量E附近每单位能量间隔内的量子态数。 k空间量子态分布与能量状态密度 所以k空间中量子态密度（单位体积）为V＝L3。考虑电子自旋，则量子态密度为2V （单位体积）。k空间量子态是均匀分布的。 k空间等能面及解决问题思路 g(E)=dZdE=2VdΩdEg(E) = \dfrac{dZ}{dE}=\dfrac{2Vd\Omega}{dE}g(E)=dEdZ​=dE2VdΩ​，其中dΩd\OmegadΩ是对应的体积微元。 球形等能面 若能带极值在k＝0且等能面为球形，则微元dΩ=4πk2dkd\Omega=4\pi k^2 dkdΩ=4πk2dk。k空间中，电子的允许量子态密度为2V/ ...

最近又准备升级前端了，看好水月雨的破晓再买水月雨我是傻逼 不知道买多大推力的小尾巴，在贴吧看到了这个耳机功率计算器：Headphones Power Calculator 比如，对于水月雨竹II：MOONDROP CHU2 可以看到，要推动这耳机需要的功率不小。好在手上的海贝FC1力大砖飞。 再比如天使吉米的兔几：TANCHJIM BUNNY 需要的推力就小了很多，CX31993都能轻松拿下。 2025.01.19 水月雨『破晓』开箱与试听 感谢 @RainaYoung 和我的好友送出的生日礼物！ 2025.06.20 按键居然坏了，被按进耳放里面去了。水月雨的品控确实不敢恭维。、 2025.09.28 换了4.4mm平衡头，推力确实大，低频更浑厚。

半导体中杂质和缺陷能级 在实际应用的半导体材料晶格中，总是存在着偏离理想情况的各种复杂现象。首先，原子并不是静止在具有严格周期性的晶格的格点位置上，而是在其平衡位置附近振动；其次，半导体材料并不是纯净的，而是含有若干杂质，即在半导体晶格中存在着与组成半导体材料的元素不同的其他化学元素的原子；再次，实际的半导体晶格结构并不是完整无缺的，而是存在着各种形式的缺陷。这就是说，在半导体中的某些区域，晶格中的原子周期性排列被破坏，形成了各种缺陷。 一般将缺陷分为三类：①点缺陷，如空位、间隙原子；②线缺陷，如位错；③面缺陷，如层错、多晶体中的晶粒间界等。我们称这三种缺陷为本征缺陷。 微量杂质对半导体性质起决定性的影响，如在硅中掺入百万分之一的硼，电导率会提高百万倍。 由于杂质和缺陷的存在，会使严格按周期性排列的原子所产生的周期性势场受到破坏，有可能在禁带中引入允许电子具有的能量状态（即能级）。正是由于杂质和缺陷能够在禁带中引入能级，才使它们对半导体的性质产生决定性的影响。 理想半导体假设晶格原子严格按周期性排列并静止在格点位置上，而实际半导体中原子不是静止的，而是在其平衡位置附近振动。 理想半导体 ...

前言 项目设计想选个简单的，于是找了个 基于硬件的目标检测 。就YOLO嗯套呗，反正网上的例子一大把，下下来改改代码就行了吧。这不，百度搜搜就有：基于树莓派4B的YOLOv5-Lite目标检测的移植与部署（含训练教程）。稳辣！ 我是这么想的。 结果发现，最新版的RaspiOS的教程很少，许多的配置界面都不一样，还遇到了各种各样的申必问题，只能自己摸索踩坑了。 环境配置 我喜欢找最新的镜像，自己配置环境。 老规矩开启三件套：WIFI、SSH、VNC。过程略。 之后安装各种依赖。需要注意的是，树莓派上面的Python包是固定死的，为了避免依赖冲突。安装包需要使用sudo apt install python3-opencv的命令。 但是有些包没有，比如python3-onnxruntime。在树莓派5 问题汇总 - 知乎找到了解决方法： 1sudo mv /usr/lib/python3.x/EXTERNALLY-MANAGED /usr/lib/python3.x/EXTERNALLY-MANAGED.bk 其中python3.x是你树莓派上的实际Python版本。 摄像头 我喜欢选最新 ...

晶体结构 集成电路制造技术复习笔记：第一章 常见半导体晶体结构： 金刚石结构 (diamond lattice)：硅（Si），锗(Ge) 闪锌矿结构(zincblende lattice)：砷化镓（GaAs）等 纤锌矿结构(wurtzite lattice)：硫化镉(CdS)，硫化锌（ZnS）等 氯化钠型结构：硫化铅(PdS)，碲化铅（PbTe）等 晶向指数与晶面 理解概念，各种括号的样子别搞混了。 [100]：用于表示某个晶向 <100>：用于表示一组晶向，如<100>表示所有可能的与坐标轴平行的方向 (100)：用于表示某个晶面 {100}：用于表示一组晶面 金刚石结构 每个原子周围有4个最近邻的原子，组成正四面体，任一顶角上的原子和中心原子各贡献一个价电子为两个原子共有，共有的电子在两个原子之间形成较大的电子云密度，通过它们对原子实的引力结合两个原子，此为共价键。 闪锌矿结构 闪锌矿结构中的化学键含有混合键，这是共价键和离子键的组合。闪锌矿结构内的混合键起主要作用的是共价键，但结合性质有一定的离子性，这是因为不同族原子 ...

目录 目录 第一篇 绪论 第二篇 半导体中的电子状态 第三篇 半导体中杂质和缺陷能级 第四篇 半导体中载流子的统计分布 第五篇 半导体的导电性 第六篇 非平衡载流子 第七篇 金半接触 第八篇 MIS结构 第九篇 pn结 第十篇 异质结与霍尔效应 第十一篇 名词解释：1-3章 第十二篇 名词解释：4-6章 第十三篇 名词解释：7-10章

基本接触 四种基本接触： 金属－半导体接触 Metal-Semiconductor 欧姆接触 整流接触 PN结 异质结（不同半导体材料） 金属－绝缘体－半导体接触 MIS 金半接触 整流接触（也称为肖特基接触或非欧姆接触）： 这种接触具有不对称的电流-电压特性。当施加正向偏压时，电流可以相对容易地通过接触；然而，当施加反向偏压时，电流受到极大限制。这种行为类似于整流器的作用，因此得名整流接触。 整流接触通常形成于金属和n型或p型半导体之间， 欧姆接触： 欧姆接触是指那些表现出线性电流-电压关系的金属-半导体接触，即遵从欧姆定律。在这种情况下，电流与施加的电压成正比，而且电流可以在两个方向上自由流动，没有明显的方向偏好。 欧姆接触不产生明显的附加阻抗，接触电阻小。 为了实现良好的欧姆接触，通常需要降低金属与半导体之间的肖特基势垒高度，或者增加接触区域的掺杂浓度。这可以通过选择适当的金属、使用合金化工艺、提高半导体的掺杂水平等方式来 半导体材料 半导体类型 材料 带隙 (eV) 类型 带隙类型 元素半导体 Si 1.12 IV Indirect ...